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【2h】

Analysis of gate-bias-induced heating effects in deep-submicron ESD protection designs

机译：深亚微米EsD保护设计中栅极偏置引起的发热效应分析

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作者
Kwang-hoon Oh; Student Member; Charvaka Duvvury; Senior Member; Kaustav Banerjee; Robert W. Dutton;
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年度 2002
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1. Analysis of gate-bias-induced heating effects in deep-submicron ESD protection designs [J] . Kwang-Hoon Oh, Duvvury C., Banerjee K., IEEE transactions on device and materials reliability . 2002,第2期

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2. Design of SCR-Based ESD Protection Device for Power Clamp Using Deep-Submicron CMOS Technology [J] . Yongseo KOO IEICE Transactions on Electronics . 2009,第9期

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3. Design of SCR-based ESD protection device for power clamp using deep-submicron CMOS technology [J] . Yongseo Koo, Kwangyeob Lee, Kuidong Kim, Microelectronics journal . 2009,第6期

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5. ESDCat: A new CAD software package for full-chip ESD protection circuit design verification. [D] . Zhan, Rouying. 2005

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6. Optimization of Cathodic Protection Design for Pre-Insulated Pipeline in District Heating System Using Computational Simulation [O] . Min-Sung Hong, Yoon-Sik So, Jung-Gu Kim 2019

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7. Design to Avoid the Over-Gate-Driven Effect on ESD Protection Circuits in Deep-Submicron CMOS Processes [O] . Ming-dou Ker, Wen-yi Chen 2015

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